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恩智浦-台积电研究中心（NXP-TSMCResearchCenter）研发出有了把尖端CMOSLSI的布线中用于的材料用作MEMS元件PCB的方法，并在累计1月17日于美国举行的“MEMS2008”上做到了公布（论文序号：156-Th）。　　此次的方法是在把可动部的某个MEMS元件附赠空穴的PCB工艺中，用于了尖端LSI布线层中用于的low-k材料。

也可以说道是把MEMS元件固有PCB工艺向现有CMOS生产工艺附近的技术。可用于台积电的生产线展开生产。

　　将low-k材料应用于尖端LSI上，是为利用介电率较低的特性，诱导层间的融合，从而构建高速传输的布线。而应用于MEMSPCB时，则是利用多孔特性。　　具体来说，是将多孔特性应用于壮烈牺牲层转印。

一般来说，MEMS元件的PCB是在MEMS部周围构成空穴。在空穴上设置盖子、以覆盖面积此前构成的壮烈牺牲层，在这一盖子上设置间隙，从而对壮烈牺牲层展开转印。把多孔材料作为上述盖子用于的话，之后可通过气相转印除去壮烈牺牲层。

进而在上面展开非多孔材料的成膜，构建气密PCB。　　气相转印过程中用于HF，多孔材料的转印速度仅有0.14nm／分。

因此，壮烈牺牲层的二氧化硅对多孔材料具备充份的选择性。例如，多孔的密度仅有7％的话，气密PCB材料将无法转入空穴内部。另外，此次用于的low-k材料为美国应用材料（AppliedMaterials）的“BlackDiamond”。

　　该公司计划把此次的PCB技术*再行应用于硅振荡器的PCB。早已面向RF电路研发了硅振荡器，并在07年12月的“2007IEDM”上做到了公布。

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